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气相沉积炉概述:CVD化学气相沉积炉是用于制备碳碳复合材料,完成CVD气相沉积工艺的重要工艺装备。1)设计温度:1250℃/1650℃/1800℃/2200℃2)常用温度:900~1200℃3)真空度:<50Pa4)压升率:空炉冷态6.67