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气相沉积炉概述：CVD化学气相沉积炉是用于制备碳碳复合材料，完成CVD气相沉积工艺的重要工艺装备。
1)设计温度：1250℃/1650℃/1800℃/2200℃
2)常用温度：900~1200℃
3)真空度：＜50Pa
4)压升率：空炉冷态6.67Pa/h(或150Pa/24h)
5)加热方式：石墨电阻加热或感应加热
6)气氛介质：氮气、丙烯、乙炔、氢气
7)控气方式：质量流量计控制
8)炉型：方形、圆形、立式或卧式结构（非标设计）
9)其它介质：炉壳冷水
