手 机：13873301595（微信同号）
电 话：0731-22335988
联系人：杨先生
传 真：0731-22331905
邮 箱：info@tjkongtiao.com
地 址：湖南省株洲市石峰区云霞大道云创智城产业园8栋
网 址：tjkongtiao.com
真空熔炼定向凝固炉的用途及特点
真空熔炼定向凝固炉的用途：
太阳能级硅绽制造，也可以用于其他半导体材料提纯。
真空熔炼定向凝固炉的特点：
控制精度高，结晶速度自由调节，采用石盟电阻或感应加热熔炼法，增加熔液搅拌，熔炼速度快。定向凝固保温采用特制加热电源，具有三相电流平衡，维护费用低，采用恒温度控制仪，可设置148段加热工艺曲线，炉室采用高真空炉体，真空度高，抽气速度快。
多晶硅定向凝固炉主要技术参数：
熔炼容量：10-450KG
电源功率：40-450KW
设计温度：1700°C
工作温度：1550°C
升温速率：40°C/Min
炉温均匀性：+5C
极限真空度：6.67x10-2Pa
压升率：0.01PaL/S
额定充气压力：0.05Mpa
铸锭方式：坩埚下降/保温桶提升定向凝固
同服控制范围：0.01mm-6mm/Min
定向凝固速率：0.01mm-0.5mm/Min
坩场快速返回速度：80-100mm/Min
